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    厂商名称:ON Semiconductor
    主要产品:电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件
    官方网站:http://www.onsemi.cn/
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  • 安森美半导体 (ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN) 致力于推动高能效电子的创新,使客户能够减少全球的能源使用。公司全面的高能效电源和信号管理、逻辑、分立及定制方案阵容,帮助工程师解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED 照明、医疗、军事/航空及电源应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目,及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。


    安森美半导体公司的全球总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。


    > 提供阵容广博的高能效方案
    > 帮助客户解决他们独特的设计挑战
    > 使设计工程师能够减少全球的能源使用
    > 运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目
    > 持续全球环境可持续性及社会责任项目

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    产品型号
    描述
    发布时间
    购买
    六反相器
    2020-01-07
    汽车级双路反相器
    2020-01-07
    带施密特触发器输入的六角反相器
    2020-01-07
    施密特触发入六角反相器
    2020-01-07
    六角反相器
    2020-01-07
    八路3态非反相缓冲器
    2020-01-07
    四路2输入与门
    2020-01-07
    具有施密特触发器输入的单路2输入与非门
    2020-01-07
    可配置功逻辑门
    2020-01-07
    ECL,差分D触发器
    2020-01-07
    双D触发器,带置位和复位端
    2020-01-07
    八三态正向D触发器
    2020-01-07
    24级分频器
    2020-01-07
    具有LSTTL兼容输入的四路同相三态缓冲器
    2020-01-07
    六缓冲器
    2020-01-07
    八路总线缓冲器
    2020-01-07
    单同相缓冲器,TTL电平
    2020-01-07
    20V,3.8A,66mΩ,双N沟道功率Trench MOSFET
    2020-01-07
    NPN通用放大器
    2020-01-07
    100V 33.5A D2PAK P沟道MOSFET
    2020-01-07
    650V,24A,125mΩ,N通道功率MOSFET
    2020-01-07
    双输出4和2相控制器,带SVID接口
    2020-01-07
    300mA,3.3V,宽输入电压,超低Iq,LDO稳压器
    2020-01-07
    小信号二极管
    2020-01-07
    100mA,5V,输出三端正电压稳压器
    2020-01-07
    沟槽肖特基整流器,低正向电压,45V,5A
    2020-01-07
    650V,40A,场截止沟槽IGBT
    2020-01-07
    40V,0.25A低IR肖特基二极管
    2020-01-07
    60V,295mA,1.6Ω,双N沟道功率MOSFET,带ESD保护
    2020-01-07
    有掉电保护的低功耗离线PWM电流模式控制器
    2020-01-07
    -60V,-1.8A,250mΩ,P沟道功率MOSFET
    2020-01-07
    高压快速开关NPN功率晶体管
    2020-01-07
    650V,30A,IGBT
    2019-12-26
    650V,40A IGBT
    2019-12-26
    1200V,25A,场截止沟道IGBT
    2019-12-26
    650V,75A,1.69V,场截止沟槽IGBT
    2019-12-26
    IGBT,超场停止-1200V,60A
    2019-12-26
    200V,超快恢复双模整流器
    2019-12-26
    0.8A,50V,表面贴装快速恢复整流器
    2019-12-26
    0.8A,400V,表面贴装快速恢复二极管
    2019-12-26
    1A,100V,超快恢复功率整流器
    2019-12-26
    8A,600V,超高速II代二极管
    2019-12-26
    600V,1A超快速整流器
    2019-12-26
    超快速表面贴装整流器
    2019-12-26
    600V,3A,表面贴装超快速电源整流器
    2019-12-26
    75A,1200V,超高速二极管
    2019-12-26
    30A,1200V,超快速二极管
    2019-12-26
    200V,3A超快恢复功率整流器
    2019-12-26
    开关模式功率整流器
    2019-12-26
    1200V,汽车级碳化硅肖特基二极管
    2019-12-26
    650V,20A,汽车碳化硅(SiC)肖特基二极管
    2019-12-26
    650V,4A,碳化硅肖特基二极管
    2019-12-26
    碳化硅肖特基二极管
    2019-12-26
    650V,8A,碳化硅二极管
    2019-12-26
    650V,8A,碳化硅(SiC)肖特基二极管
    2019-12-26
    650V,10A,碳化硅肖特基二极管
    2019-12-26
    肖特基功率整流管,SM,0.5A,30V
    2019-12-26
    12A,40V肖特基二极管
    2019-12-26
    4A,40V,肖特基功率整流器,开关模式
    2019-12-26
    8A,60V,肖特基二极管
    2019-12-26
    60V,1A,表贴式肖特基功率整流器
    2019-12-26
    60V,1A,肖特基功率整流器
    2019-12-26
    12A,120V,沟槽低VF肖特基整流器
    2019-12-26
    10A,45V,极低漏电沟槽肖特基整流器
    2019-12-26
    250V高压开二极管
    2019-12-26
    ESD保护阵列,USB 3.0
    2019-12-26
    ESD保护二极管,5V
    2019-12-26
    ESD保护阵列
    2019-12-26
    ESD保护二极管,低电容,高速数据
    2019-12-26
    双向ESD保护二极管
    2019-12-26
    150V,167A,5.9mΩ,N沟道PowerTrench MOSFET
    2019-12-10
    80V,51A,10mΩ,N通道屏蔽栅极功率MOSFET
    2019-12-10
    60V,22A,3.2mΩ,双N沟道功率Trench MOSFET
    2019-12-10
    30V,49A,1.8mΩ,N沟道MOSFET
    2019-12-10
    25V,非对称双N沟道功率MOSFET
    2019-12-10
    25V,非对称双N沟道功率级MOSFET
    2019-12-10
    80V,136A,3.5mΩ,单N通道功率MOSFET
    2019-12-10
    100V,40A,13mΩ对称双N沟道功率MOSFET
    2019-12-10
    150V,51mΩ,16A,N沟道功率MOSFET
    2019-12-10
    100V,96A,8.5mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-12-10
    500V,20A,230mΩ,N通道功率MOSFET
    2019-12-10
    500V,20A,260mΩ,N通道功率MOSFET
    2019-12-10
    200V,39A,66mΩ,N通道功率MOSFET
    2019-12-10
    100V, 128A,4.5mΩ,N通道PowerMOSFET
    2019-12-10
    100V,76A,8.5mΩ,N沟道屏蔽栅极功率MOSFET
    2019-12-10
    80V,4.7A,44mΩ,双N沟道功率Trench MOSFET
    2019-12-10
    40V,6A,29mΩ,双N沟道功率MOSFET
    2019-12-10
    30V,7.5A,18mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-12-10
    500V,4A,1.5Ω,N通道功率MOSFET
    2019-12-10
    600V,4A,2Ω,N通道功率MOSFET
    2019-12-10
    500V,9A,800mΩ,N通道功率MOSFET
    2019-12-10
    500V,40A,110mΩ,N通道功率MOSFET
    2019-12-10
    800V,6.6A,1.9Ω,N沟道功率QFET MOSFET
    2019-12-10
    500V,9A,800mΩ,N通道功率MOSFET
    2019-12-10
    650V,30A,110mΩ,N沟道SUPERFET III MOSFET
    2019-12-10
    650V,70A,33mΩ,N通道功率MOSFET
    2019-12-10
    30V,69A,3.41mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-12-10
    40V,130A,2.5mΩ,单N沟道功率MOSFET
    2019-12-10
    60V,120A,3.1mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-12-10
    100V,132A,4.8mΩ,单N沟道功率MOSFET
    2019-12-10
    650V,40A,82mΩ,N通道功率MOSFET
    2019-12-10
    30V,75A,3.6mΩ单N沟道功率MOSFET
    2019-12-10
    30V,52A,5.9mΩ,单N沟道功率MOSFET
    2019-12-10
    30V,38A,9.4mΩ,单N沟道功率MOSFET
    2019-12-10
    40V,107A,3mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-12-10
    80V,68A,9.5mΩ,单N沟道功率MOSFET
    2019-12-10
    60V,9A,170mΩ,N沟道逻辑电平功率MOSFET
    2019-12-10
    60V,89A,4.1mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-12-10
    100V,19A,74mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-12-10
    650V,65A,27.4mΩ,单N沟道功率MOSFET
    2019-12-10
    650V,65A,40mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-12-10
    1200V,44A,80mΩ,N沟道碳化硅MOSFET
    2019-12-10
    30V,51A,6mΩ,单N通道功率MOSFET
    2019-12-10
    40V,235A,1.3mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-12-10
    40V,78A,4.5mΩ,单N沟道功率MOSFET
    2019-12-10
    40V,37A,10.3mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-12-10
    60V,133A,3mΩ,N沟道MOSFET
    2019-12-10
    80V,123A,3.7mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-12-10
    80V,43A,14.2mΩ,单N沟道功率MOSFET
    2019-12-10
    60V,20A,26.5mΩ,单N沟道功率MOSFET
    2019-12-10
    80V,68A,9.5mΩ,单N沟道功率MOSFET
    2019-12-10
    80V,68A,9.5mΩ,单N沟道功率MOSFET
    2019-12-10
    5W,齐纳二极管
    2019-12-10
    30V,1.5W齐纳稳压管
    2019-12-10
    6.8V,225mW, ±5%齐纳二极管稳压器
    2019-12-10
    16V齐纳二极管电压稳压器
    2019-12-10
    300mW,43V,±5%齐纳稳压管
    2019-12-10
    500mW标准容差齐纳二极管稳压器
    2019-12-10
    225mW 5%齐纳稳压管6.2V
    2019-12-10
    500mW,齐纳二极管
    2019-12-10
    500mW,齐纳二极管
    2019-12-10
    500mW,齐纳二极管
    2019-12-10
    500mW,5.6V,±5%齐纳稳压管
    2019-12-10
    600V,20A,190mΩ,N通道功率MOSFET
    2019-11-21
    -150V,-3A,1.5Ω,P沟道功率QFET MOSFET
    2019-11-21
    -150V,-0.8A,1.2Ω,P沟道功率Trench MOSFET
    2019-11-21
    -60V,-2.9A,105mΩ,双P沟道MOSFET
    2019-11-21
    -60V,-3A,150mΩ,单P沟道功率MOSFET
    2019-11-21
    -60V,-38A,29.5mΩ,P沟道功率MOSFET
    2019-11-21
    -100V,-31A,75mΩ,P沟道功率MOSFET
    2019-11-21
    -30V,-1.95A,200mΩ,P沟道功率MOSFET
    2019-11-21
    60V,3.5A,117mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-11-21
    250V,52A,49mΩ,N沟道功率UniFETTM MOSFET
    2019-11-21
    100V,210A,2.8mΩ,N沟道功率Trench MOSFET
    2019-11-21
    100V,200A,2.6mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-11-21
    80V,220A,3mΩ,N沟道功率Trench MOSFET
    2019-11-21
    30V,6.5A,23mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-11-21
    60V,50A,10.5mΩ,N沟道功率Trench MOSFET
    2019-11-21
    60V,50A,13.5mΩ,N沟道功率Trench MOSFET
    2019-11-21
    60V,36A,27mΩ,N沟道逻辑电平Trench MOSFET
    2019-11-21
    40V,50A,5.2mΩ,N沟道功率Trench MOSFET
    2019-11-21
    40V,50A,8.7mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-11-21
    60V,80A,3.8mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-11-21
    500V,100A,55mΩ,N沟道UniFETTM MOSFET
    2019-11-21
    图像信号处理器
    2019-11-21
    1.2MP,图像传感器
    2019-11-21
    图像传感器1.2MP
    2019-11-21
    CMOS图像传感器
    2019-11-21
    图像传感器
    2019-11-21
    1MP图像传感器
    2019-11-21
    CMOS图像传感器
    2019-11-21
    1.7MP图像传感器
    2019-11-21
    CMOS图像传感器
    2019-11-21
    10MP,1CMOS图像传感器
    2019-11-21
    CMOS图像传感器,0.3MP,全局快门
    2019-11-21
    600V,36A,90mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-11-01
    650V,10A,360mΩ,N通道功率MOSFET
    2019-11-01
    800V,6A,850mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-11-01
    650 V,54 A,77mΩ,N通道功率MOSFET
    2019-11-01
    650V,20.6A,190mΩ,N通道功率MOSFET
    2019-11-01
    600V,47A,73mΩ,N通道功率MOSFET
    2019-11-01
    600V,45.8A,65mΩ,N通道功率MOSFET
    2019-11-01
    650V,17A,180mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-11-01
    600V,22A,165mΩ,N沟道SupreMOS MOSFET
    2019-11-01
    600V,36A,90mΩ,N沟道SupreMOS MOSFET
    2019-11-01
    650V,19A,165mΩ,N沟道SUPERFET III MOSFET
    2019-11-01
    600V,20.6A,190mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-11-01
    650V,17A,190mΩ,N沟道SUPERFET III MOSFET
    2019-11-01
    600V,190mΩ,20A,N通道功率MOSFET
    2019-11-01
    650V,12A,250mΩ,N通道功率MOSFET
    2019-11-01
    800V,14A,400mΩ,N沟道SUPERFET II MOSFET
    2019-11-01
    800V,6A,850mΩ,N通道功率MOSFET
    2019-11-01
    235A,75V,3.2mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-11-01
    150V,117A,8.3mΩ,N沟道PowerTrench®MOSFET
    2019-11-01
    FDMS86101100V,60A,8mΩ,N沟道MOSFET
    2019-11-01
    0.5A,整流桥
    2019-11-01
    具有漏极开路输出和5V容差低压六路反向器
    2019-11-01
    2输入或门
    2019-11-01
    具有数字输出的麦克风前置放大器
    2019-11-01
    -50V,-5A,低VCE(sat),PNP双极晶体管
    2019-10-10
    -100V,-2A,双极晶体管,低VCE(sat),PNP
    2019-10-10
    30V,100mA,NPN双极晶体管
    2019-10-10
    60V,6A,NPN低饱和电压晶体管
    2019-10-10
    PNP/NPN互补低VCE(Sat)晶体管,(-)50V,(-)6A
    2019-10-10
    100V,2A,NPN低VCE(sat)双极晶体管
    2019-10-10
    -60V,-6A,PNP低饱和电压晶体管
    2019-10-10
    3A,100V低VCE(sat)PNP晶体管
    2019-10-10
    用于低噪声放大器的RF晶体管
    2019-10-10
    35A,桥式整流器
    2019-10-10
    15V,10~32mA,N沟道JFET
    2019-10-10
    P沟道JFET晶体管
    2019-10-10
    8位I2C/SMBus,I/O扩展器,带中断
    2019-10-10
    150V,51A,22mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-10-10
    225mW,3.3V,±5%齐纳稳压管
    2019-10-10
    150V,26A,42mΩN沟道PowerTrench MOSFET
    2019-10-10
    100V,214A,3.5mΩ,N沟道功率Trench MOSFET
    2019-10-10
    可调/2.5V,1%容差分流稳压器
    2019-10-10
    100V,开关二极管
    2019-10-10
    PNP外延硅晶体管
    2019-10-10
    18V,齐纳稳压管
    2019-09-19
    500mW,齐纳二极管
    2019-09-19
    500mW,齐纳二极管
    2019-09-19
    600V,2A超快恢复功率整流器
    2019-09-19
    6A,200V超快双模整流器
    2019-09-19
    表面通用整流器
    2019-09-19
    3A,1000V表面贴装整流器
    2019-09-19
    3A,800V表面贴装整流器
    2019-09-19
    250V高压开关二极管
    2019-09-19
    高压120V开关二极管
    2019-09-19
    200V开关二极管
    2019-09-19
    5V,双路共阳二极管TVS带ESD保护
    2019-09-19
    5V,10pF,ESD双向保护二极管
    2019-09-19
    用于高速数据线的低电容ESD保护二极管
    2019-09-19
    超低电容ESD保护
    2019-09-19
    具有低钳位电压的ESD保护二极管
    2019-09-19
    USB 3.0,低电容,ESD保护二极管
    2019-09-19
    12V单向ESD保护器件
    2019-09-19
    单向高速数据线保护
    2019-09-19
    双路NPN双极数字晶体管
    2019-09-19
    50V双极数字晶体管(BRT)
    2019-09-19
    NPN双极数字晶体管(BRT)
    2019-09-19
    1A,1.8V低压差稳压器
    2019-09-19
    低正向电压,低漏电沟槽肖特基整流器
    2019-09-03
    60V,3A,低正向沟槽肖特基整流器
    2019-09-03
    用于混频器和探测器的肖特基势垒二极管
    2019-09-03
    用于混频器和探测器的肖特基势垒二极管
    2019-09-03
    45V,3A,沟槽肖特基整流器,低正向电压
    2019-09-03
    40A,100V,双通道肖特基功率整流器
    2019-09-03
    30V,肖特基势垒二极管
    2019-09-03
    40V,双路肖特基二极管
    2019-09-03
    60V,1A肖特基整流二极管
    2019-09-03
    45V,10A开关模式肖特基功率整流器
    2019-09-03
    20V,0.5A肖特基功率整流器
    2019-09-03
    30V,40A肖特基整流二极管
    2019-09-03
    60V,2A低VF肖特基整流器
    2019-09-03
    6.2V,齐纳二极管
    2019-09-03
    75V,200mW,2%,齐纳管
    2019-09-03
    8.2V,1.5W,齐纳稳压管
    2019-09-03
    16V,1.5W,齐纳稳压管
    2019-09-03
    5.1V,3.0W,齐纳稳压管
    2019-09-03
    7.5V,3.0W,齐纳稳压管
    2019-09-03
    250mW,18V,±2%,齐纳二极管电压调节器
    2019-09-03
    225mW,5.6V,±2%齐纳稳压管
    2019-09-03
    225W,13V,齐纳二极管
    2019-09-03
    300mW,22V,±5%,齐纳二极管电压调节器
    2019-09-03
    300mW,4.7V,±5%,齐纳稳压管
    2019-09-03
    500mW,5.1V,±2%,齐纳稳压二极管
    2019-09-03
    500mW,5.6V,±2%,齐纳稳压管
    2019-09-03
    40W,15V,齐纳保护二极管
    2019-09-03
    500mW,27V,±5%,齐纳稳压管
    2019-09-03
    8.2V,齐纳稳压管
    2019-09-03
    17V低电流齐纳二极管电压稳压器
    2019-09-03
    3.3V LVDS 1位高速差分接收器
    2019-09-03
    500mW,NPN外延硅晶体管
    2019-09-03
    硅光电倍增管传感器
    2019-09-03
    225V,0.65/0.35A灌/源电流,3相半桥栅极驱动
    2019-09-03
    30V,6.5A,23mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-09-03
    60A,600V,超快速II双二极管
    2019-09-03
    60A,300V,超快速双二极管
    2019-09-03
    30A,600V,STEALTH二极管
    2019-09-03
    50V,2A超快恢复功率整流器
    2019-09-03
    8A,600V,超高速二极管
    2019-09-03
    2A,200V,超快速整流器
    2019-09-03
    400V,3A超快开关模式功率整流器
    2019-09-03
    600V,3A,超快速整流器
    2019-09-03
    650V,40A,IGBT
    2019-08-16
    1200V,15A,NPT沟道IGBT
    2019-08-16
    1200V,25A,NPT沟道IGBT
    2019-08-16
    650V,50A,场截止沟道IGBT
    2019-08-16
    600V,40A,N沟道场截止IGBT
    2019-08-16
    1000V,40A,场截止沟道IGBT
    2019-08-16
    650V,40A,场截止沟道IGBT
    2019-08-16
    600V,60A,场截止沟道IGBT
    2019-08-16
    650V,60A,场截止沟槽IGBT
    2019-08-16
    650V,75A,隔离门双极晶体管(IGBT),场截止型
    2019-08-16
    650V,75A,场截止沟槽IGBT
    2019-08-16
    1200V,40A,NPT IGBT
    2019-08-16
    1000V,60A,NPT沟道IGBT
    2019-08-16
    600V,15A,IGBT
    2019-08-16
    600V,30A,PT 绝缘门双极晶体管IGBT
    2019-08-16
    600V,20A,PT IGBT
    2019-08-16
    600V, 20A,PT IGBT
    2019-08-16
    650V,6A,碳化硅肖特基二极管
    2019-08-16
    -650V ,8A ,碳化硅(SiC)肖特基二极管
    2019-08-16
    -650V,10A,碳化硅(SIC)肖特基二极管
    2019-08-16
    -650V,12A,碳化硅肖特基二极管,
    2019-08-16
    650V,30A,汽车碳化硅(SiC)肖特基二极管
    2019-08-16
    -650V,6A,碳化硅肖特基二极管
    2019-08-16
    -650V,8A,碳化硅肖特基二极管
    2019-08-16
    1200V,10A,碳化硅肖特基二极管
    2019-08-16
    1200V,10A,碳化硅肖特基二极管
    2019-08-16
    1200V,15A,碳化硅肖特基二极管
    2019-08-16
    -650V,16A,碳化硅肖特基二极管
    2019-08-16
    650V,16A,碳化硅肖特基二极管,
    2019-08-16
    1200V,20A,碳化硅肖特基二极管
    2019-08-16
    20A,-650V,碳化硅二极管
    2019-08-16
    650V,汽车级碳化硅肖特基二极管
    2019-08-16
    1200V,30A,碳化硅肖特基二极管
    2019-08-16
    30A,-650V,碳化硅二极管
    2019-08-16
    650V,30A,碳化硅肖特基二极管
    2019-08-16
    650V,30A,汽车级碳化硅(SiC)肖特基二极管
    2019-08-16
    1200V,40A,碳化硅肖特基二极管
    2019-08-16
    650V,40A,碳化硅肖特基二极管
    2019-08-16
    650V,40A,碳化硅肖特基二极管
    2019-08-16
    1200V,50A,碳化硅二极管
    2019-08-16
    -650V,20A,碳化硅肖特基二极管
    2019-08-16
    -650V,6A,碳化硅肖特基二极管
    2019-08-16
    肖特基势垒整流器
    2019-08-16
    8A,100V,肖特基二极管
    2019-08-16
    100V,1A,表贴式肖特基功率整流器
    2019-08-16
    4.0A,40V,肖特基整流器
    2019-08-16
    100V,76A,8.5mΩ,N通道功率MOSFET
    2019-07-22
    100V,67A,4.5mΩ,N沟道功率Trench MOSFET
    2019-07-22
    100V,40A,8.5mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-07-22
    150V,27.4A,19mΩ,N沟道功率Trench MOSFET
    2019-07-22
    100V,4.5A,62mΩ,双N沟道功率MOSFET
    2019-07-22
    20V,9.4A,10mΩ,逻辑电平双N沟道功率MOSFET
    2019-07-22
    150V,4.5A,55mΩ,N沟道功率Trench MOSFET
    2019-07-22
    30V,15A,7mΩ,N沟道PowerTrench MOSFET
    2019-07-22
    25V,0.68A,0.45Ω,数字FET,N沟道MOSFET
    2019-07-22
    900V,11.4A,960mΩ,N沟道 QFET MOSFET
    2019-07-22
    800V,12.6A,750mΩ,N沟道 QFET MOSFET
    2019-07-22
    500V,24A,200mΩ,N沟道QFET MOSFET
    2019-07-22
    300V,38.4A,85mΩ,N沟道QFET MOSFET
    2019-07-22
    250V,40A,70mΩ,N沟道QFET MOSFET
    2019-07-22
    900V,9A,1.4Ω,N沟道QFET MOSFET
    2019-07-22
    200V,21A,140mΩ,N沟道QFET MOSFET
    2019-07-22
    60V,16.8A,63mΩ,N沟道QFET MOSFET
    2019-07-22
    250V,7.4A,420mΩ,N沟道QFET MOSFET
    2019-07-22
    400V,10.5A,530mΩ,N沟道功率QFET MOSFET
    2019-07-22
    250V,16A,230mΩ,N沟道 QFET MOSFET
    2019-07-22
    800V,5.5A,2.5Ω,N沟道 QFET MOSFET
    2019-07-22
    600V,7.5A,1.2Ω,N沟道QFET Power MOSFET
    2019-07-22
    650V,65A,40mΩ,N沟道SUPERFET功率MOSFET
    2019-07-22
    650V,40A,82mΩ,N沟道Power MOSFET
    2019-07-22
    650V,30A,110mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-07-22
    30V,246A,1.1mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-07-22
    30V,78A,2.8mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-07-22
    40V,87A,3.7mΩ,单N沟道功率MOSFET
    2019-07-22
    60V,150A,2.4mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-07-22
    60V,100A,4.0mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-07-22
    80V,89A,5.5mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-07-22
    40V,240A,0.75mΩ,单N沟道功率MOSFET
    2019-07-22
    60V,17A,27.4mΩ,单N沟道功率MOSFET
    2019-07-22
    40V,145A,2.65mΩ,双N沟道功率MOSFET
    2019-07-22
    40V,36A,11.4mΩ,双N沟道功率MOSFET
    2019-07-22
    40V,29A,14.5mΩ,双N沟道功率MOSFET
    2019-07-22
    40V,110A,2.8mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-07-22
    40V,78A,4.5mΩ,单N沟道功率MOSFET
    2019-07-22
    40V,49A,8.1mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-07-22
    60V,150A,2.4mΩ,单N沟道功率MOSFET
    2019-07-22
    60V,36A,15mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-07-22
    60V,21A,27.5mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-07-22
    30V,2.5A,110mΩ,小信号N沟道MOSFET
    2019-07-22
    650V,30A,110mΩ,N通道功率MOSFET
    2019-07-22
    650V,19A,165mΩ,N通道功率MOSFET
    2019-07-22
    100V,57A,8.5mΩ,N沟道屏蔽栅极 Power MOSFET
    2019-07-22
    40V,80A,3.5mΩ,车用N沟道MOSFET
    2019-07-22
    150V,2A,228mΩ,N沟道Power MOSFET
    2019-07-22
    100V,2.7A,105mΩ,双N沟道屏蔽栅极MOSFET
    2019-07-22
    受保护的MOSFET高侧驱动器,12A,160mΩ
    2019-07-22
    620mΩ,-250V,-6A,P沟道QFET功率MOSFET
    2019-07-22
    600V,20A,场截止IGBT
    2019-07-22
    带施密特触发器输入的六角反相器
    2019-07-22
    4.9Ω,-500V,-2.1AP沟道功率QFET MOSFET
    2019-07-22
    3Mhz,3A同步降压稳压器
    2019-07-22
    比较器,单通道,开集极,低功耗,宽电源范围
    2019-07-22
    60V,26A,28mΩ,双N沟道功率MOSFET
    2019-07-22
    600V,190mΩ,20A,N通道功率MOSFET
    2019-07-22
    600V,62mΩ,47A,N通道功率MOSFET
    2019-07-22
    600V,104mΩ,37A,N沟道MOSFET
    2019-07-22
    600V,2500mΩ,4.5A,N通道功率MOSFET
    2019-07-22
    600V,730mΩ,9.5A,N通道功率MOSFET
    2019-07-22
    30V,13.1mΩ,51A,N沟道MOSFET
    2019-07-22
    650V,72mΩ,44A,单N沟道功率MOSFET
    2019-07-22
    150V,42mΩ,45.6A,N沟道QFET®MOSFET
    2019-07-22
    N&P沟道互补双功率MOSFET
    2019-07-22
    "AR0144ATSM20XUEA0-DPBR"CMOS图像传感器
    2019-07-22
    100V,60A,7.5mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-06-28
    650V,6A,600mΩ,N通道功率MOSFET
    2019-06-28
    650V,24A,125mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-06-28
    600V,20.2A,199mΩ,N沟道SupFET II MOSFET
    2019-06-28
    650V,12A,250mΩ,N通道功率MOSFET
    2019-06-28
    650V,10A,360mΩ,N通道功率MOSFET
    2019-06-28
    650V,6A,600mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-06-28
    800V,1.6A,4.3Ω,N沟道SuperFET II MOSFET
    2019-06-28
    500V,19A,265mΩ,N沟道 UniFETTM MOSFET
    2019-06-28
    500V,48A,105mΩ,N沟道UniFETTM MOSFET
    2019-06-28
    100V,268A,1.7mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-06-28
    100V,240A,4.1mΩ,N沟道功率Trench MOSFET
    2019-06-28
    60V,300A,1.1mΩ,N沟道功率Trench MOSFET
    2019-06-28
    600V,3.4A,2.5Ω,N沟道UniFETTM II MOSFET
    2019-06-28
    60V,18A,55mΩ,N沟道PowerTrench MOSFET
    2019-06-28
    60V,25A,15mΩ,N沟道 PowerTrench MOSFET
    2019-06-28
    40V,90A,3.2mΩ,N沟道功率Trench MOSFET
    2019-06-28
    60V,8A,17.5mΩ,N沟道功率Trench MOSFET
    2019-06-28
    80V,147A,3.1mΩ,N沟道PowerTrench MOSFET
    2019-06-28
    100V,128A,4.5mΩ,N沟道功率Trench MOSFET
    2019-06-28
    30V,80A,2.5mΩ,N沟道功率Trench MOSFET
    2019-06-28
    共阴极碳化硅(SiC)肖特基二极管,1200V,15A
    2019-06-14
    "AR0144ATSM20XUEA0-DPBR"CMOS图像传感器
    2019-06-14
    温度传感器,带EEPROM
    2019-06-14
    1200V,15A,碳化硅肖特基二极管
    2019-06-14
    44mΩ,-40V,-14A,P沟道PowerTrench MOSFET
    2019-06-14
    13.5mΩ,-40V,-50A,P沟道功率Trench MOSFET
    2019-06-14
    47mΩ,-20V,-3.6A,P沟道功率MOSFET
    2019-06-14
    25mΩ,-40V,-33A,P沟道功率MOSFET
    2019-06-14
    6.5mΩ,-60V,-120A,P沟道功率MOSFET
    2019-06-14
    111mΩ,-60V,-2.9A,P沟道功率MOSFET
    2019-06-14
    14mΩ,−60V,-64A,P沟道功率MOSFET
    2019-06-14
    39mΩ,-20V,-5.2A,P沟道功率MOSFET
    2019-06-14
    19mΩ,-30V,-11.4A,单P沟道,增强模式MOSFET
    2019-06-14
    -60V,-100A,5.8mΩ,P沟道功率MOSFET
    2019-06-14
    -60V,-9.4A,185mΩ,P沟道功率QFET MOSFET
    2019-06-14
    -60V,-27A,43mΩ,P沟道功率MOSFET
    2019-06-14
    60V,340mA,1.6Ω,N沟道小信号MOSFET
    2019-06-14
    100V,40A,33mΩ,N沟道MOSFET
    2019-06-14
    50V,0.2A,3.5Ω,N沟道小信号MOSFET
    2019-06-14
    650V,12A,260mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-06-14
    650V,6A,600mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-06-14
    650V,65A,40mΩ,N沟道SuperFET III MOSFET
    2019-06-14
    600V,77A,41mΩ,N沟道SuperFET MOSFET
    2019-06-14
    600V,52A,72mΩ,N沟道功率FRFET MOSFET
    2019-06-14
    600V,52A,62mΩ,N沟道SuperFET II MOSFET
    2019-06-14
    650V,24A,125mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-06-14
    650V,44A,67mΩ,N通道SUP III功率MOSFET
    2019-06-14
    650V,12A,260mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-06-14
    650V,10A,360mΩ,N沟道功率MOSFET
    2019-06-14
    模拟多路复用器/分配器,带LSTTL兼容输入
    2019-05-31
    2.93V,超低电源电流电压监控器
    2019-05-31
    625V,0.65/0.35A 灌电流/源电流,具有可变死区时间和关断保护的半桥式栅极驱动
    2019-05-16
    500mW,43V,±5%齐纳稳压管
    2019-05-16
    120V,8A,非常低的漏电,肖特基肖特基整流器
    2019-05-16
    300V,500mA,NPN外延硅晶体管
    2019-05-16
    60V,16.5mΩ,38A,单N沟道功率MOSFET
    2019-05-16
    1200V,15A,超高速二极管
    2019-05-16
    共阴极碳化硅(SiC)肖特基二极管,1200V,10A
    2019-05-16
    电池保护控制器,集成MOSFET,1节锂离子电池
    2019-05-16
    单节锂电池电量计[智能电量计]
    2019-05-16
    用于反激转换器的固定频率电流模式控制器
    2019-05-16
    800V集成电源开关,用于35W离线反激式转换器
    2019-05-16
    650V集成电源开关,用于35W离线反激式转换器
    2019-05-16
    用于稳健和高效电源的增强型离线开关稳压器
    2019-05-16
    用于稳健和高效电源的增强型离线开关稳压器
    2019-05-16
    用于稳健和高效电源的增强型离线开关稳压器
    2019-05-16
    650V,50A,场截止沟槽IGBT
    2019-05-16
    单逆变器,反相器
    2019-03-28
    低功耗,高分辨率音频处理片上系统(SoC)
    2019-03-28
    USB Type-C端口控制器,含USB-PD
    2019-03-28
    独立式LIN收发器
    2019-03-28
    具有集成LIN和稳压器的系统基础芯片
    2019-03-28
    运算放大器,单电源供电,四路
    2019-03-28
    精密运算放大器,低功耗,零漂移,30μV偏移
    2019-03-28
    具有10μV偏移的低功耗,零漂移运算放大器
    2019-03-28
    运算放大器,宽电源范围,3MHz
    2019-03-28
    50ns,高速低压,轨到轨,推挽式比较器
    2019-03-28
    50ns,高速低压,轨到轨,漏极开路比较器
    2019-03-28
    50ns,高速低压,轨到轨,推挽式比较器
    2019-03-28
    电压输出,双向电流分流感应放大器
    2019-03-28
    电压输出,双向零漂移电流感应放大器
    2019-03-28
    1A,带使能,快速瞬态响应,线性稳压器
    2019-03-28
    100mA,线性稳压器,可调输出
    2019-03-28
    3.0V固定输出,300mA,CMOS LDO稳压器
    2019-03-28
    具有偏置轨和极低压差的LDO稳压器
    2019-03-28
    250mA,正固定输出LDO稳压器
    2019-03-28
    1A,带使能,快速瞬态响应,LDO线性稳压器
    2019-03-28
    1A,带使能,快速瞬态响应,LDO线性稳压器
    2019-03-28
    200mA,2.8V,低压差稳压器
    2019-03-28
    300mA,2.85V,LDO线性电压稳压器
    2019-03-28
    LDO稳压器,低Iq,宽输入电压,固定1.8V
    2019-03-28
    有使能复位的LDO稳压器
    2019-03-28
    5V,带延迟,复位调节和检测输出LDO
    2019-03-28
    LDO,5V,具有延迟,可调节复位和检测输出
    2019-03-28
    200mA输出电流的LDO稳压器
    2019-03-28
    1.5A,具有偏置导轨的超低压差稳压器
    2019-03-28
    1.8V,超低噪声和高PSRR LDO稳压器
    2019-03-28
    LDO稳压器,超低噪声和高PSRR,1.8V
    2019-03-28
    LDO稳压器,超低噪声和高PSRR,3.3V
    2019-03-28
    1.8V,正固定输出线性稳压器
    2019-03-28
    3.3V,正固定输出线性稳压器
    2019-03-28
    1.8V,低压差稳压器带ESD保护
    2019-03-28
    3.3V,低压差稳压器,非常低Iq
    2019-03-28
    可调节输出,超低Iq,超低噪声LDO稳压器
    2019-03-28
    1.2V,低Iq宽输入电压,可调节LDO稳压器
    2019-03-28
    2A,1.8MHz,TinyPower I2C降压-升压调节器
    2019-03-28
    5A,2.4MHz,数字可编程TinyBuck稳压器
    2019-03-28
    4.5~21V,集成MOSFET的DC/DC转换器
    2019-03-28
    3MHz,2.0A,同步降压转换器
    2019-03-28
    降压稳压器,双模,2MHz,低IQ
    2019-03-28
    低电压精密可调分流稳压器
    2019-03-28
    PoE(Power Over Ethernet),是指通过 100BASE-TX、1000BASE-T 以太网网络供电。通过这种方式,可以有效的解决 IP 电话、无线 AP、便携设备充电器、刷卡机、摄像头、数据采集等终端的集中式电源供电,对于这些终端......[详情]
    利用可穿戴技术可以把多媒体、传感器和无线通信等技术嵌入人们的衣着中,可支持手势和眼动操作等多种交互方式。 应用框图 推荐器件展开全部系统监控(3) NCP360MUTBG具有内部 PMOS FET 和状态标志位的 USB 正电压过......[详情]
    辅助小册子
    文件
    修订日期
    下载
    汽车用器件选择指南 (英文版)
    May, 2014
    汽车电子解决方案
    Aug, 2013
    电路保护方案
    Jul, 2013
    计算机解决方案手册 (英文版)
    Jun, 2013
    公司简介 (英文版)
    Feb, 2014
    企业社会责任报告 (英文版)
    Mar, 2014
    定制设计和制造服务手册 (英文版)
    Dec, 2013
    家庭娱乐产品解决方案手册 (英文版)
    Dec, 2013
    图像传感器产品手册 (英文版)
    Oct, 2012
    工业产品解决方案手册 (英文版)
    Nov, 2013
    LED 照明方案
    Feb, 2014
    主动元件选择指南 (英文版)
    Jun, 2011
    医疗产品解决方案手册 (英文版)
    Nov, 2013
    军事与航空航天产品解决方案手册 (英文版)
    Nov, 2013
    网络与电信产品解决方案手册 (英文版)
    Aug, 2013
    OIS/AF和触感解决方案手册 (英文版)
    May, 2013
    便携式产品解决方案手册 (英文版)
    May, 2014
    电源和电源适配器解决方案手册 (英文版)
    Jul, 2013
    智能电网解决方案手册 (英文版)
    May, 2014
    白家电方案
    Nov, 2013
     
     
     
    参考设计和手册
    文件
    修订日期
    下载
    1W至5W MR16 LED驱动器,GreenPoint®参考设计 (英文版)
    Oct, 2009
    16W xDSL调制解调器用AC-DC适配器,GreenPoint®参考设计 (英文版)
    Apr, 2009
    160W CRT电视电源,GreenPoint®参考设计 (英文版)
    Mar, 2006
    200W游戏控制台用AC-DC适配器,GreenPoint®参考设计 (英文版)
    Feb, 2008
    216W多合一电源,GreenPoint®参考设计 (英文版)
    Feb, 2010
    采用NCP1395和NCP1653器件,实现220W液晶电视电源,GreenPoint®参考设计 (英文版)
    Mar, 2007
    采用NCP1396和NCP1605器件,实现220W液晶电视电源,GreenPoint®参考设计 (英文版)
    Mar, 2007
    255W 80PLUS®银盘认证用ATX电源,GreenPoint®参考设计 (英文版)
    Feb, 2009
    300W超薄液晶电视电源,GreenPoint®参考设计 (英文版)
    Sep, 2010
    300W,80PLUS®认证用ATX电源,GreenPoint®参考设计 (英文版)
    Sep, 2011
    40W打印机用AC-DC适配器,GreenPoint®参考设计 (英文版)
    Feb, 2007
    5W CCCV用AC-DC适配器,GreenPoint®参考设计 (英文版)
    Feb, 2008
    50W机顶盒电源,GreenPoint®参考设计 (英文版)
    Jun, 2010
    60W监视器用AC-DC适配器,GreenPoint®参考设计 (英文版)
    Jul, 2006
    8W DTA电源,GreenPoint®参考设计 (英文版)
    Feb, 2008
    90W笔记本用AC-DC适配器,GreenPoint®参考设计 (英文版)
    Jul, 2006
    离线式高功率因数,双向可控硅调光LED驱动器,GreenPoint®参考设计 (英文版)
    Feb, 2013
    用于ENERGY STAR®住宅LED光源的离线LED驱动器,GreenPoint®参考设计 (英文版)
    Apr, 2013
    高达180W高压液晶电视用电源,GreenPoint®参考设计 (英文版)
    Feb, 2009
    半导体的基本热性能 (英文版)
    Jun, 2009
    案例大纲和包的参考手册 (英文版)
    Nov, 2011
    化学成分手册 (英文版)
    Feb, 2013
    设备术语 (英文版)
    Jul, 2013
    国内供应商的发货指令参考手册 (英文版)
    Oct, 2011
    FGPA到ASIC转换参考手册 (英文版)
    Nov, 2013
    IGBT的应用手册 (英文版)
    Apr, 2014
    国际供应商的发货指令参考手册 (英文版)
    Aug, 2013
    标签和包装参考手册 (英文版)
    Feb, 2012
    线性和开关式稳压器手册 (英文版)
    Feb, 2002
    功率因数修正手册 (英文版)
    Apr, 2014
    质量和可靠性手册 (英文版)
    May, 2014
    质量和可靠性手册 (英文版)
    Jun, 2012
    供应商手册 (英文版)
    Sep, 2012
    开关模式电源的参考手册 (英文版)
    Apr, 2014
    瞬态电压抑制器/齐纳理论和设计注意事项手册 (英文版)
    Jun, 2005
    带形和卷轴包装规格 (英文版)
    Jan, 2014
    晶闸管理论和设计注意事项手册 (英文版)
    Nov, 2006
     
     
     
    培训教材
    文件
    修订日期
    下载
    AD2-功率小于75 W的适配器
    Oct, 2008
    ADAP1 - 设计及应用极低能耗的固定频率适配器
    Nov, 2009
    ADAP2 - QR适配器设计 (英文版)
    Nov, 2009
    ATPAK封装的功率MOSFET (英文版)
     
    ATX - 设计高能效ATX解决方案
    Oct, 2008
    实现高功率密度设计 (英文版)
    Sep, 2007
    AiO - 90%能效的一体式电脑200 W电源
    Nov, 2009
    汽车用驱动器的要求,拓扑及应用 (英文版)
    Dec, 2009
    汽车用信息娱乐系统电源 (英文版)
    Dec, 2009
    适用于汽车用信息娱乐解决方案的小型LCD设备 (英文版)
    Nov, 2013
    IVN协议的基础知识 (英文版)
    Nov, 2011
    用于T8荧光灯灯管的恒流稳压驱动器 (VoPPT) (英文版)
    Aug, 2010
    用于驱动LED的恒流稳压器解决方案 (VoPPT) (英文版)
    Aug, 2012
    用于汽车内部照明应用的恒流稳压器 (英文版)
    Nov, 2013
    有效的汽车质量 (英文版)
    Dec, 2009
    高开关频率对降压稳压器的影响 (英文版)
    Dec, 2009
    电磁兼容性 (英文版)
    Dec, 2009
    F2S - 改进型双开关正激转换器应用
    Nov, 2009
    FB1 - DC-DC转换器的反馈和控制 (英文版)
    Oct, 2008
    FB2 - 开关式电源中的TL431 (英文版)
    Nov, 2009
    HB - 半桥驱动器:基于变压器的方案,还是全硅片驱动方案?
    Nov, 2009
    高节能步进电机解决方案 (英文版)
    Nov, 2013
    高温管理计划 (英文版)
    Dec, 2009
    用于电磁炉应用的IGBT
    Aug, 2012
    IGBTs感应加热应用程序 (日文版)
    Sep, 2013
    IVN防静电性能 (英文版)
    Dec, 2009
    导入Spice模型到ORCAD (英文版)
    Apr, 2013
    用于白色家电的智能功率模块(IPM)与逆变器IPM技术的简介 (英文版)
     
    LCD - 液晶电视AC-DC电源架构及LED背光
    Nov, 2009
    LDO热计算 (英文版)
    Dec, 2009
    LED - 通用照明高亮度LED驱动器方案
    Nov, 2009
    LED照明的定义及特点 (英文版)
    Sep, 2007
    线性叠加 (英文版)
    Feb, 2007
    用于充电电池的低成本CCR充电解决方案 (英文版)
    Jun, 2012
    MAG - 在开关模式电源供应器磁 (英文版)
    Nov, 2009
    MOF - 多输出反激式离线式电源供应器 (英文版)
    Oct, 2008
    白家电方案中应用电机驱动器进行设计
     
    多可编程时钟锁相环 (英文版)
    Jun, 2009
    OVR - 高能效方案概览
    Nov, 2009
    PFC1 - 先进的功率因数校正
    Oct, 2008
    PFC2 - 补偿功率因数校正(PFC)段
    Nov, 2009
    使用低VCE(SAT)的双极结型晶体管(voppt)的节电方案 (英文版)
    Aug, 2010
    QR - 准谐振转换器的分析与设计 (英文版)
    Oct, 2008
    SIM卡 - 用SPICE模拟电源 (英文版)
    Oct, 2008
    开关电源概述 (英文版)
    Jun, 2008
    开关电源拓扑 (英文版)
    Jun, 2008
    SOL - 太阳能供电LED街道照明
    Oct, 2008
    SOL - 太阳能LED路灯网上直播教程 (英文版)
    Jul, 2009
    在汽车动力系统和制动系统上的遥感 (英文版)
    Feb, 2010
    智能场效应管保护功能 (英文版)
    Dec, 2009
    智能场效应管健壮性测试 (英文版)
    Dec, 2009
    安森美半导体智能电网方案 
     
    待机功耗降低技术 (英文版)
    Sep, 2007
    切换效率与缓冲设计 (英文版)
    Dec, 2009
    TEL - 直流-直流电信和网络解决方案
    Oct, 2008
    切换效率与缓冲设计 (英文版)
    Feb, 2007
    用于白色家电的触摸传感器解决方案 (英文版)
    Nov, 2013
    了解数字可编程电位器 (英文版)
    Aug, 2011
    iPFC - 交错式功率因数控制器
    Nov, 2009
     
     
     
    设计和开发工具
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    May, 2014
     
     
     
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